プラズマ処理装置および当該装置で用いられる静電チャック吸着方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-212700
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049216
出願日： 1998年07月28日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ処理開始時から、安定した半導体ウエハの吸着を得ることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置20は、真空チャンバ21と、真空チャンバ21内部に設けられた下電極24と、下電極24の表面に形成された誘電体膜23と、真空チャンバ21内部にプラズマを発生させるための処理条件および半導体ウエハ22を誘電体膜23に吸着させるために両者間に印加すべき実吸着電圧を記憶した処理条件記憶部35と、処理条件と半導体ウエハ22の表面に生じる自己バイアス電圧との関係をあらかじめ記憶し、処理条件より自己バイアス電圧を求め、処理条件記憶部35に記憶された実吸着電圧を加算して出力するための記憶演算部36と、記憶演算部36より出力された値の電圧を下電極24に印加するための静電チャック電源31とを含む。

請求項（抜粋）：

内部を外気と遮断し、内部の雰囲気を保持するための外気遮断手段と、前記外気遮断手段の内部に配置された電極と、前記電極表面に形成された誘電体膜と、前記外気遮断手段内に所望のガスを導入するためのガス導入手段と、前記ガスをプラズマ状態にするためのプラズマ発生手段と、所望のプラズマを発生させるための処理条件より、前記誘電体膜上に載置された半導体ウエハの一方の表面を前記誘電体膜の表面に吸着させるために最低限必要な両表面の間に働かせる実吸着電圧の値と、前記所望のプラズマを発生させた場合に前記半導体ウエハの他方の表面に生じる自己バイアス電圧の値との和である電圧値を算出し、出力するための電圧値算出手段と、前記電圧値算出手段で算出された電圧値の電圧を前記電極に印加し、前記誘電体膜上に載置された前記半導体ウエハの前記一方の表面を前記誘電体膜の表面に吸着させるための吸着電圧発生手段とを含む、プラズマ処理装置。

IPC (9件)：

H01L 21/68 , B23Q 3/15 , C23C 14/50 , C23C 16/458 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H02N 13/00 , H05H 1/46

FI (9件)：

H01L 21/68 R , B23Q 3/15 D , C23C 14/50 A , C23C 16/44 H , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H02N 13/00 D , H05H 1/46 A , H01L 21/302 A

Fターム (25件)：

3C016GA10 , 4K029BD01 , 4K029CA13 , 4K029EA06 , 4K029EA09 , 4K029JA05 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030GA01 , 4K030JA17 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004BB22 , 5F004CA06 , 5F004CA08 , 5F031FF03 , 5F031KK06 , 5F031KK07 , 5F045DP03 , 5F045EH13 , 5F045EH20 , 5F045EM01 , 5F045EM05 , 5F045GB15

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