特許
J-GLOBAL ID:200903072960884457
光半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-160172
公開番号(公開出願番号):特開平11-074424
出願日: 1989年12月28日
公開日(公表日): 1999年03月16日
要約:
【要約】【課題】 光半導体素子をエポキシ樹脂組成物によって封止して成る光半導体装置であって、内部応力が小さく、しかも光透過性に優れた光半導体装置を提供する。【解決手段】 シリカ粉末、シランカップリング剤を含み、しかもシリカ粉末と樹脂成分の硬化体との屈折率の差が特定の範囲内であるエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止する。
請求項(抜粋):
下記の(A)〜(E)成分を含み、(D)成分のシリカ粉末の屈折率と、(A)〜(C)成分からなるエポキシ樹脂硬化体の屈折率との差が±0.01の範囲に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。(A)透明性エポキシ樹脂。(B)酸無水物系硬化剤。(C)硬化触媒。(D)シリカ粉末。(E)シランカップリング剤。
IPC (6件):
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/42
, C08K 5/54
, C08L 63/00
, H01L 33/00
FI (5件):
H01L 23/30 F
, C08G 59/42
, C08K 5/54
, C08L 63/00 C
, H01L 33/00 N
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭49-023847
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特開昭60-007153
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特開平1-242658
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