特許
J-GLOBAL ID：200903072961395883
半導体積層構造とその製造方法およびそれを用いた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169524
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022872
出願日： 1995年07月05日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【構成】Si基板とGaAs層からなる半導体積層構造により構成され、Si基板表面を清浄化ししかも不活性にするために水素で終端化し、その上に転位の発生を抑制するためのGa層,GaAs層が形成されている。また、その上のGaAs層中に、光電変換部となるpn構造が形成されている半導体装置。【効果】低温で清浄表面が得られ、拡散層からの不純物の拡散、あるいは加工マスクによる汚染,不純物の拡散を抑制できる。また、転位の発生を抑制でき、GaAs層をエピタキシャル成長できる。
請求項（抜粋）：
表面を水素によって終端化された半導体基板上に所定の金属層と、上記金属層上に上記金属層の構成元素の少なくとも一つを含む化合物半導体層からなり、上記半導体基板と上記化合物半導体とは格子定数が異なり、上記金属層は少なくとも一原子層であることを特徴とする半導体積層構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/203 M
, H01L 31/10 A
