パターン形成法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007523
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204414
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】基板上に図形状の金属膜をリフトオフ法によって形成する方法において、ステンシル形状が確実に形成でき、さらにリフトオフ処理や基板間の剥離が簡単にできるパターン形成法を提供すること。【解決手段】基板1上に下層レジスト膜13を形成し、紫外線4を照射して下層レジスト膜13の現像速度を高めた後、上層レジスト膜14を形成し、フォトマスク3を介して紫外線4を照射した後、現像液によってレジスト膜13、14を現像してステンシル形状6を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に2層レジストを用いてステンシル形状を形成するパターン形成法において、前記基板上に第1のレジストを塗布し前記第1のレジストが熱硬化しない温度で熱処理する工程と、前記第1のレジストの現像速度を速めるために前記第1のレジスト全面に前記第1のレジストが感度を有する波長の紫外線を照射する工程と、前記第1のレジスト上に第2のレジストを塗布し前記第1及び第2のレジストが熱硬化しない温度で熱処理する工程と、前記基板に所望のパターンの露光を行う工程と、前記基板を現像する工程とを有することを特徴とするパターン形成法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/095 , G03F 7/26 511

FI (4件)：

H01L 21/30 573 , G03F 7/095 , G03F 7/26 511 , H01L 21/30 566

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