特許

J-GLOBAL ID：200903072965799032

微細パターン形成方法

発明者： 奥野 明実 ,  橋本 和彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-063705
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275510
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 レジスト膜中の残存溶媒を完全に蒸発させ、露光により発生する活性種の不均一拡散を抑え、良好なパタ-ンを形成するための方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板11上にレジスト溶液を塗布し、熱処理を行ない、基板上にレジスト膜12を形成する工程と、レジスト膜12に紫外線13を用いて所望のパターンを露光する工程と、基板を露光後熱処理し、さらに現像を行なうことによって、レジストパターン12pを形成する方法において、前記レジスト塗布後の熱処理を、減圧下真空中において行なうことを特徴とする微細パターン形成方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にレジスト溶液を塗布し、熱処理を行ない、基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に紫外線を用いて所望のパターンを露光する工程と、基板を露光後熱処理し、さらに現像を行なうことによって、レジストパターンを形成する方法において、前記レジスト塗布後叉は前記露光後の熱処理を減圧下真空中において行なうことを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/38 511

FI (2件)：

H01L 21/30 361 F ,  H01L 21/30 361 K