特許
J-GLOBAL ID:200903072967179112
誘電体多層膜フィルタおよびその作製方法および誘電体多層膜フィルタの光導波路への挿入構造
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
五十嵐 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-192484
公開番号(公開出願番号):特開平9-021912
出願日: 1995年07月05日
公開日(公表日): 1997年01月21日
要約:
【要約】【目的】 光導波路に対してフィルタ面が垂直となるように挿入可能な誘電体多層膜フィルタおよびその作製方法および誘電体多層膜フィルタの光導波路への挿入構造を提供する。【構成】 (1,1,1)Siウェハの基板2の上面24に、基板2よりも広幅の誘電体多層膜3を基板2の両側から張り出し形成し、誘電体多層膜3の張り出し側の基板2の端面21,22を誘電体多層膜3の膜面と垂直とする。この誘電体多層膜フィルタ1を光導波路25に挿入するときには、光導波路に誘電体多層膜3の膜厚を持ったフィルタ挿入溝20を形成し、基板2の端面22が下向きとなるように誘電体多層膜フィルタ1を横向きとし、端面22を光導波路25表面に当接させて、誘電体多層膜3の張り出し部分をフィルタ挿入溝20に挿入することで、フィルタ面を光導波路25に対して垂直とする。
請求項(抜粋):
基板の上面に該基板の幅を少なくとも一方側に張り出して基板の幅よりも広幅の誘電体多層膜が形成されており、少なくともこの誘電体多層膜の張り出し側の基板の端面は誘電体多層膜の膜面と略垂直になるように形成されて、フィルタ断面がL字形状又はT字形状と成していることを特徴とする誘電体多層膜フィルタ。
IPC (2件):
FI (2件):
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