特許

J-GLOBAL ID：200903072970754691

プラズマ処理装置

発明者： 矢島 明 ,  小林 秀 ,  島村 英昭 ,  岸本 里志 ,  米岡 雄二 ,  西原 晋治 ,  志田 啓之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136344
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330095
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【構成】作業範囲を規定するシールド、スパッタリングターゲットもしくはプラズマ電極、成膜の対象となる基板乃至は、基板を置載するステージの接地電位に対する電位の変化を測定、基準値と比較する手段、上記それぞれの比較結果同士を同一時間軸上で比較する手段、プラズマ処理工程中の異常放電の発生場所を判定・表示する手段からなる。【効果】プラズマ処理中の異常放電の発生を的確に、自動的に知ることができることによって、不良製品の作り込みを防止する。更に装置の監視を無人化できるので、省人化が図れる。

請求項（抜粋）：

真空槽、シールド、真空槽の中にあってプラズマを発生させるための電極、あるいは真空槽内部にプラズマを発生させるための機構、処理の対象となる基板乃至は、基板を置載するステージなど作業範囲を規定する部位の電圧もしくは電流、あるいはその両方を測定する手段と、その測定値と基準値とを比較する手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (7件)：

H05H 1/46 A ,  C23C 14/34 U ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B