特許
J-GLOBAL ID:200903072974865234

半導体集積回路装置の製造方法および半導体ウエハならびにフォトマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-096350
公開番号(公開出願番号):特開平8-293476
出願日: 1995年04月21日
公開日(公表日): 1996年11月05日
要約:
【要約】【目的】 半導体ウエハをダイシングしてチップに分割する際のチップ欠け不良およびチップ周辺部の絶縁膜クラック不良を有効に防止する。【構成】 半導体ウエハ1の主面に碁盤の目状に形成されたスクライブライン2が互いに交差している領域の幅を他の領域の幅よりも広く形成し、半導体ウエハ1をダイシングしてチップに分割する際にチップコーナー部に発生する欠け(クラック)がチップ領域に達しないようにする。
請求項(抜粋):
半導体ウエハの主面に碁盤の目状にスクライブラインを形成し、前記スクライブラインに沿って前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップに分割する際、あらかじめ前記スクライブラインが互いに交差する領域の幅を他の領域の幅よりも広く形成しておくことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

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