電解導体層を利用し化学機械研磨の均一度を増進する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹本松司 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110769
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306867
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】電解導体層を利用し化学機械研磨の均一度を増進する方法の提供。【解決手段】本発明は電解導体層を利用し化学機械研磨の均一度を増進する方法に関する。本発明によると、導体層を形成する時、電解プロセスでこの導体層を処理し、導体層の厚さを減少し導体層の表面の不平坦を除去し、その後にさらに化学機械研磨プロセスでこの導体層の表面を研磨する。電解プロセスにより導体層の厚さを効率的に減少し、これにより後続の化学機械研磨プロセスに必要な時間を短縮する。同時に電荷が導体層表面の突出部分に集中し、突出する部分の電解速度を凹んだ部分の電解速度より速くなるため、導体層表面の起伏の不平坦が改善される。このほか、もし該導体層を電気メッキの方法で形成したなら、この発明の効率はさらに向上される。

請求項（抜粋）：

複数の半導体構造を一つのウエハーの表面に形成し、該ウエハーの表面に一つの導体層を形成して該導体層で該複数の半導体構造を被覆し、該ウエハーをウエハー台に固定し、該ウエハーの一部を化学槽中の電解液中に浸漬し、該ウエハーと該電解液を電源に連接し、該導体層の一部を電解し、化学機械研磨法で該ウエハーの表面を平坦化することを少なくとも含んでなる、電解導体層を利用し化学機械研磨の均一度を増進する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/288 , H01L 21/3063 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/304 621 D , H01L 21/288 E , H01L 21/306 L , H01L 21/90 A

Fターム (21件)：

4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104DD07 , 4M104DD52 , 4M104DD64 , 4M104DD75 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH12 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ20 , 5F033QQ48 , 5F043DD14 , 5F043DD16 , 5F043DD30 , 5F043EE14 , 5F043FF07

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の作製方法および半導体装置の作製装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-042149 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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