特許

J-GLOBAL ID：200903072978679834

反射防止フィルタおよびその製造方法ならびにこの反射防止フィルタを用いた表示装置

発明者： 近藤 洋文 ,  花岡 英章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-309564
公開番号（公開出願番号）：特開平10-148701
出願日： 1996年11月20日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 耐汚染性、耐磨耗性が向上した反射防止フィルタおよびその製造方法、ならびにこれを用いた表示装置を提供する。【解決手段】 誘電体材料からなる反射防止層表面に、パーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物と、長鎖炭化水素基を有するアルコキシシラン化合物とを含む被膜を形成する。【効果】 下地反射防止層、および被膜内分子間の相互作用が高く、強固な被膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

透明基材の表面に少なくとも1層の誘電体薄膜からなる反射防止層を有する反射防止フィルタにおいて、前記反射防止層表面に、下記一般式(1)で示されるパーフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン化合物と、下記一般式(2)で示される長鎖炭化水素基を有するアルコキシシラン化合物と、を含む被膜を有することを特徴とする反射防止フィルタ。Rf(CO-X-R1 -Si(OR2 )3 )n (1)R3 -Si(OR2 )3 (2)(但し、Rfはパーフルオロポリエーテル基を、R1 はアルキレン基を、R2はアルキル基を、R3 は炭素数10以上の長鎖炭化水素基を、そしてXは-O-、-NH-および-S-から選ばれる基を、nは2以下の自然数をそれぞれ表す。)

IPC (4件)：

G02B 1/11 ,  C08L 83/00 ,  C09D183/04 PMV ,  G02F 1/1335

FI (4件)：

G02B 1/10 A ,  C08L 83/00 ,  C09D183/04 PMV ,  G02F 1/1335