特許
J-GLOBAL ID：200903072991897638
ダミーウェハ及びその使用方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-224369
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054591
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】静電容量式センサーや静電チャックを備えた半導体製造プロセスに、電気絶縁体で構成した長寿命のダミーウェハを使用できるようにする。【解決手段】電気絶縁材料からなる絶縁基材11中に導電板12を埋め込んでダミーウェハ1を構成する。導電板12は、ダミーウェハ1の裏面1bに近い位置に埋め込んで、静電容量式センサーによる検出感度を向上させるとともに、静電チャックによる保持力を大きくする。電気絶縁材料からなる母材中に導電材料を分散させてダミーウェハを構成することもできる。
請求項（抜粋）：
主として電気絶縁性材料からなるダミーウェハであって、その厚み方向中心部と一方のウェハ面との間の領域に導電層が埋め込まれている、ダミーウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 A
, H01L 21/02 B
