特許
J-GLOBAL ID:200903072992388532
半導体基板の電極
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
倉内 義朗
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-336424
公開番号(公開出願番号):特開2002-141546
出願日: 2000年11月02日
公開日(公表日): 2002年05月17日
要約:
【要約】【課題】電極が形成された半導体基板の反りの状態を一定させる。【解決手段】シリコンウエハ1の裏面電極3を矩形状に形成しており、この矩形の縦方向の辺を横方向の辺よりも長くしている。ここで、矩形の辺の短い横方向よりも、長い縦方向で、裏面電極3の固化に伴う裏面電極3の収縮量がより大きくなる。従って、裏面電極3の材料の金属ペーストを焼成し固化したときに、この裏面電極3(アルミニウムとシリコンの合金及びアルミニウムからなる)が矩形の縦方向で大きく収縮する。これにより、縦方向の断面A-Aの反り量が横方向の断面B-Bの反り量よりも大きくなる。
請求項(抜粋):
半導体基板上に設けられた電極であって、電極は、略矩形状に形成され、該矩形の辺の長さは、縦方向と横方向で異なることを特徴とする半導体基板の電極。
IPC (3件):
H01L 31/052
, H01L 29/41
, H01L 29/43
FI (4件):
H01L 31/04 G
, H01L 29/44 F
, H01L 29/46 L
, H01L 29/46 Z
Fターム (27件):
4M104AA01
, 4M104BB02
, 4M104BB08
, 4M104CC01
, 4M104DD31
, 4M104DD34
, 4M104DD51
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104DD78
, 4M104DD83
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104FF02
, 4M104FF11
, 4M104GG20
, 4M104HH20
, 5F051AA03
, 5F051BA14
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051FA14
, 5F051FA15
, 5F051FA16
, 5F051GA04
, 5F051GA14
, 5F051HA07
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