特許
J-GLOBAL ID:200903072994477818

薄膜トランジスタ及び液晶ディスプレイパネル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-011187
公開番号(公開出願番号):特開平6-224431
出願日: 1993年01月26日
公開日(公表日): 1994年08月12日
要約:
【要約】【目的】 光を吸収し難くかつ移動度が大きく、しかも通常のガラスを使用することができる薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶ディスプレイパネルを提供する。【構成】 薄膜トランジスタの半導体薄膜5にμc-SiCを用いている。これにより、半導体薄膜5の光学的透明度が向上して光の吸収係数が全波長域に亘ってa-Siより小さくなるため、光を吸収し難くなり、オフ電流を小さくおさえられる。特に、カーボン含有量を増加させて光学バンドギャップを大きくすることにより、その作用を向上させることができる。また、μc-SiCからなる半導体薄膜5を電子サイクロトロン共鳴化学蒸気成膜法により作成することにより、a-Siと比較して移動度を大きく向上できる。
請求項(抜粋):
ゲート絶縁膜を挟んで片方にゲート電極が設けられ、もう片方に半導体薄膜、ソース電極及びドレイン電極が設けられており、該半導体薄膜が微結晶シリコンカーバイドからなる薄膜トランジスタ。
IPC (2件):
H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500
FI (2件):
H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/78 311 H
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平4-268721

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