特許

J-GLOBAL ID：200903072997629872

半導体装置及びその製造方法

発明者： 閑野 義則
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320442
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144230
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 配線基板とヒートスプレッダーの間に接着剤の引っ込み部ができ、封止樹脂の硬化時に金属細線の頂上付近にボイドが発生し、耐湿性を低下させていた。【解決手段】 ヒートスプレッダー3の主表面に形成した接着層12により、半導体チップ1と配線基板2をヒートスプレッダー3に熱圧着などの方法で固定して引っ込み部を無くし、半導体チップ1と金属細線4を含めて封止樹脂5で封止した。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、前記半導体チップの電極と接続される金属細線と、前記金属細線によって、前記半導体チップと電気的に接続される配線基板と、前記半導体チップ及び前記配線基板とを搭載するヒートスプレッダーと、前記ヒートスプレッダーの主表面に設けられ、前記半導体チップ及び前記配線基板を接着する接着層と、少なくとも前記金属細線を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/34 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/36

FI (3件)：

H01L 23/34 A ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/36 C

Fターム (4件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BC05 ,  5F036BE01