特許
J-GLOBAL ID:200903073005229327

太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 恒久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-109192
公開番号(公開出願番号):特開平10-303444
出願日: 1997年04月25日
公開日(公表日): 1998年11月13日
要約:
【要約】【課題】 集積型太陽電池に対してレーザ光によりスクライブ加工を行う際に、レーザ光の焦点を一定に保つことによって精度よく加工を行う。【解決手段】 自動焦点機構を有するレーザ装置からレーザ光Lを絶縁基板1側から光電変換層2に向けて照射することにより光電変換層2を分割加工してパターニングするスクライブ加工を行うとき、第1スクライブラインS1上の絶縁基板1、透明導電膜層3および光電変換層2が交わる3層界面A1、あるいは第1スクライブラインS2上の透明導電膜層3と光電変換層2との間の絶縁基板1に垂直な2層界面A2をレーザ光Lの焦点の照準とする。レーザ光Lの加工許容深度内に被加工面を保持しながらスクライブ加工を行い、第1スクライブラインS1と第2スクライブラインS2とを重畳させる。
請求項(抜粋):
絶縁基板の上に電極層を形成して、該電極層にレーザ光を照射することによりこれを分割してパターニングし、その上に光電変換層を積層し、該光電変換層にレーザ光を照射することによりこれを分割してパターニングする太陽電池の製造方法において、前記光電変換層をパターニングするとき、前記絶縁基板上の電極層の分割ラインエッジをレーザ光の焦点の照準として利用し、前記電極層の分割ラインと前記光電変換層の分割ラインとを重畳させることを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  B23K 26/00
FI (2件):
H01L 31/04 S ,  B23K 26/00 H

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