特許

J-GLOBAL ID：200903073005526003

酸化物半導体発光素子

発明者： 齊藤 肇 ,  川崎 雅司
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-373856
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207441
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】ZnO系半導体のワイドギャップ層成長時における活性層の蒸発や熱劣化を防ぎ、発光特性と信頼性に優れた酸化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に少なくとも、ZnO系半導体で構成された、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層が積層されて成る酸化物半導体発光素子において、前記活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きな層が、MgxCdyZn1-x-yO混晶(0<x<1、0<y<1)で形成されてなる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも、ZnO系半導体で構成された、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層が積層されて成る酸化物半導体発光素子において、前記活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きな層が、MgxCdyZn1-x-yO混晶(0<x<1、0<y<1)を含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。

IPC (5件)：

H01L33/00 ,  C30B23/08 ,  C30B29/22 ,  H01L21/363 ,  H01S5/327

FI (5件)：

H01L33/00 D ,  C30B23/08 M ,  C30B29/22 Z ,  H01L21/363 ,  H01S5/327

Fターム (43件)：

4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077BC60 ,  4G077BE36 ,  4G077DA03 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077EE03 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  4G077SA04 ,  4G077SC08 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA41 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA02 ,  5F073AA09 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29 ,  5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103DD30 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103PP01 ,  5F103RR07