半導体露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041694
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236838
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】レチクルの透過率を短時間で測定できるようにする。【構成】レチクルのパターンを移動ステージ上に配置した半導体ウエハ上に投影し露光転写する半導体露光装置において、前記移動ステージ上に配置され露光光により像を形成し得る表面を有するプレートと、このプレート上に露光光により形成された前記レチクルパターンの転写像の画像データを撮像手段を介して得る画像取込み手段と、これによて得られた画像データに基き前記レチクルの透過率を求めるデータ処理手段とを具備する。

請求項（抜粋）：

レチクルのパターンを移動ステージ上に配置した半導体ウエハ上に投影し露光転写する半導体露光装置において、前記移動ステージ上に配置され露光光により像を形成し得る表面を有するプレートと、このプレート上に露光光により形成された前記レチクルパターンの転写像の画像データを撮像手段を介して得る画像取込み手段と、これによて得られた画像データに基き前記レチクルの透過率を求めるデータ処理手段とを具備することを特徴とする半導体露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 S , H01L 21/30 311 L

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