特許

J-GLOBAL ID：200903073008520669

半導体集積回路の製造方法

発明者： 鈴木 屹
出願人/特許権者： 岩崎通信機株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 正美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018496
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190663
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 配線導体に寄生する容量を低減させることができるフィールド絶縁層の形成方法を提供する。【構成】 半導体基板21に複数のトレンチ22を形成する。次に、熱酸化法によりトレンチ22の内壁に酸化膜25を形成し、隣り合うトレンチ22の間のシリコンをシリコン酸化膜25に変換する。次に、トレンチ22の中に絶縁物26を充填し、表面27を平坦化する。その後、配線導体28をその表面27上に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に複数のトレンチを形成する工程と、熱酸化法により前記トレンチの内壁に酸化膜を形成し、隣り合うトレンチの間のシリコンをシリコン酸化膜に変換する工程と、前記トレンチの中に絶縁物を充填し、表面を平坦化する工程とを含む半導体集積回路の製造方法。