特許

J-GLOBAL ID：200903073008739571

加熱による化学反応と拡散を利用する化合物半導体及び化合物絶縁体の製造方法と、この方法による化合物半導体及び化合物絶縁体、これを利用する光電池、電子回路、トランジスター及びメモリー

発明者： 金 朱鎬 ,  富永 淳二
出願人/特許権者： 三星電子株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-092663
公開番号（公開出願番号）：特開2003-300720
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月21日
要約：

【要約】【課題】 加熱による化学反応と拡散を利用する化合物半導体及び化合物絶縁体の製造方法と、この方法による化合物半導体及び化合物絶縁体、これを利用する光電池、電子回路、トランジスター及びメモリーを提供する。【解決手段】 酸素及び/又は硫黄を含む誘電体層の間に酸素及び/又は硫黄に対して反応性が高い希土類遷移金属層の中間層が介在された積層構造を形成し、の加熱温度を調節による化学反応と拡散によって化合物半導体及び化合物絶縁体を製造し、これを利用して光電池、電子回路、トランジスター及びメモリーを製造する。

請求項（抜粋）：

酸素及び/又は硫黄を含む誘電体層の間に酸素及び/又は硫黄に対して反応性が高い希土類遷移金属層の中間層が介在された積層構造を形成し、該積層構造を加熱して前記誘電体層と前記中間層を互いに化学反応と拡散をさせて化合物半導体を製造することを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (9件)：

C01B 33/00 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

C01B 33/00 ,  H01L 21/268 E ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 601 ,  H01L 29/14 ,  H01L 29/78 371

Fターム (13件)：

4G072AA50 ,  4G072GG03 ,  4G072UU01 ,  5F083AD01 ,  5F083AD11 ,  5F083EP02 ,  5F083ER22 ,  5F083HA06 ,  5F083JA60 ,  5F101BA01 ,  5F101BD02 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07