特許
J-GLOBAL ID：200903073015849617
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295837
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151863
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、横型の二重拡散型MOSFETを有する半導体装置に関するもので、内蔵ダイオードの内部抵抗が大きい問題点を除去し、アバランシェ耐量に優れた装置を提供することを目的とする。【構成】 前記目的のため本発明は、前述の半導体装置において、第2のドレイン電極12を基板1の裏面に設け、該電極12と第1のドレイン電極11とを接続するようにしたものである。なお、他の実施例として第1のドレイン電極11の下部に基板1に達する溝を設け、その溝に導電性の層を埋め込むようにしたものも記載してある。
請求項（抜粋）：
半導体基体上に設けてある第1導電型の層内に、第2導電型の領域があり、その第2導電型の領域にトランジスタとしてのゲート電極の一部およびソース層とソース電極があり、前記第2導電型の領域以外に少なくとも第1のドレイン電極がある横型の二重拡散型MOSFETを有する半導体装置において、前記半導体基体の前記ドレイン電極がある面とは反対の面(裏面)に第2のドレイン電極を設け、該電極と前記第1のドレイン電極とを接続してあることを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 301 J
, H01L 29/78 321 C
