特許

J-GLOBAL ID：200903073019738020

光起電力素子及び発電システム

発明者： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349588
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204521
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、堆積速度が高くしかも優れた光電変換効率を有し、更には、光劣化、振動劣化を抑制した光起電力素子を提供することを目的とする。【構成】 水素を含有する非単結晶シリコン系半導体材料からなるp型層、i型層、n型層を基板上に積層して構成され、且つ該i型層はアルカリ土類金属を含有し、マイクロ波プラズマCVD法で形成されてなる光起電力素子において、該p型層または/及びn型層はマイクロ波で形成されたMWドーピング層とRFプラズマCVD法で形成されたRFドーピング層との積層構造によって構成され、且つ該RFドーピング層は該MWドーピング層と該i型層とに挟まれるように配置され、さらに該i型層のアルカリ土類金属含有量及び水素含有量が厚さ方向になめらかに変化していることを特徴とする。または該i型層はドナーとなる価電子制御剤とアクセプターとなる価電子制御剤をともに含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水素を含有する非単結晶シリコン系半導体材料からなるp型層、i型層、n型層を基板上に積層して構成され、且つ該i型層はアルカリ土類金属を含有し、マイクロ波プラズマCVD法で形成されてなる光起電力素子において、該p型層または/及びn型層はマイクロ波で形成されたMWドーピング層とRFプラズマCVD法で形成されたRFドーピング層との積層構造によって構成され、且つ該RFドーピング層は該MWドーピング層と該i型層とに挟まれるように配置され、さらに該i型層のアルカリ土類金属含有量及び水素含有量が厚さ方向になめらかに変化していることを特徴とする光起電力素子。