特許

J-GLOBAL ID：200903073026713580

半導体モジュール製造方法

発明者： 鶴迫 浩一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218156
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031605
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 ワイヤループを高くした場合は製品の小型化に不都合であり、一方、低く形成すると、接触による絶縁不良や曲げ応力の増大による品質低下が生じた。【解決手段】 半導体チップ(1)等にワイヤボンドを施して半導体モジュールを製造する際、ワイヤループ(2)とループ近傍にある部品との接触を回避し、望ましいワイヤループ高さを確保するために、ワイヤループを下支えする別のワイヤループ(4)を先行して形成しておく。

請求項（抜粋）：

半導体チップ等にワイヤボンドを施して半導体モジュールを製造する際、ワイヤループとループ近傍にある部品との接触を回避し、望ましいワイヤループ高さを確保するために、ワイヤループを下支えする別のワイヤループを先行して形成しておくことを特徴とする半導体モジュール製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/60 301 C ,  H01L 21/60 301 D ,  H01L 21/60 301 G

Fターム (3件)：

5F044CC05 ,  5F044HH04 ,  5F044HH06