特許
J-GLOBAL ID：200903073030640376
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271968
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125112
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 多孔質Siを注入発光させる半導体装置に関し、電子回路との接続に適した発光性Si構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 絶縁性表面を有する基板上に、耐弗酸性の導電体膜、1導電型を有する多孔質の多結晶または非晶質Si層、その上に第2の絶縁膜を介するかあるいは直接形成した透光性導電体層をこの順で積層した構造を有し、前記導電体膜と透光性導電体層との間に電圧を印加するための電気的手段を備える。
請求項（抜粋）：
絶縁性表面(2、7)を有する基板上に、耐弗酸性の導電体膜(3)、1導電型を有する多孔質の多結晶または非晶質Si層(4)、その上に第2の絶縁膜(5)を介するかあるいは直接形成した透光性導電体層(6)をこの順で積層した構造を有し、前記導電体膜(3)と透光性導電体層(6)との間に電圧を印加するための電気的手段を備えた半導体装置。
IPC (2件)：
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