特許

J-GLOBAL ID：200903073034233643

半導体装置

発明者： 小池 英敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-282612
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114382
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】ヒューズの切断あるいはアンチヒューズの接続に際してこれらの下方に形成された配線、素子が照射されたレーザによるダメージを受けないようにして、ヒューズ切断後あるいはアンチヒューズの接続後も安定な動作を行い、集積度を向上でき、製造工程も少なくて済む多層配線構造を持った半導体装置を提供すること。【解決手段】 ヒューズ30あるいはアンチヒューズの下方にアルミおよびタングステンを含む複数金属の積層ダミーパターン26aを配置し、レーザブロー時のレーザエネルギーによる配線または素子への悪影響を防止し得るように構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された多層配線構造とを有し、前記多層配線構造は、所定の配線層に形成されたヒューズあるいはアンチヒューズを有する配線と、前記ヒューズあるいはアンチヒューズの直下における下方の配線層内に形成された金属積層膜でなるダミーパターンと、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/88 S

Fターム (10件)：

5F033HH08 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033MM30 ,  5F064DD26 ,  5F064EE23 ,  5F064FF27 ,  5F064FF28 ,  5F064FF34 ,  5F064FF42

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-014245
  
• 特開平2-025055
  
• 特開平4-014245
  
• 特開平2-025055