特許
J-GLOBAL ID：200903073034341950
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180894
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014861
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 効率よく品種分けが行えるとともにトレイの管理が容易な半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 先ずウエハ1に形成された半導体素子11a、11bを所定の配列(x、y)で載置できるトレイ10に収納するとともに、トレイ10に収納された半導体素子11a、11bの配列(x、y)と品種a、bとの対応をメモリキャリア3に記憶する。次いで、メモリキャリア3に記憶しておいた半導体素子11a、11bの配列(x、y)と品種a、bとの対応に基づいてトレイ10から複数または一種類のリードフレームへ半導体素子11a、11bを移載するようにした半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
ウエハに形成された複数の品種から成る半導体素子をリードフレーム上に移載し、前記品種毎に半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、先ず、前記ウエハに形成された半導体素子を所定の配列で載置できるトレイに収納するとともに、該トレイに収納された半導体素子の配列と該半導体素子の品種との対応を記憶手段に記憶しておき、次いで、前記記憶手段に記憶しておいた半導体素子の配列と該半導体素子の品種との対応に基づいて該トレイから前記リードフレームへ該半導体素子を移載して該品種毎に製造するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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