特許

J-GLOBAL ID：200903073035157339

半導体素子製造方法

発明者： 矢野 史子 ,  斉藤 昭男 ,  伊藤 晴夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-129580
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321114
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】不良工程を効率良く見い出したり、不良の原因になる工程の的確なメンテナンス時期を推定でき、不良素子の製造を最小限におさえるためのモニタ方法を提供する。【解決手段】ウエハ上の製品となる領域以外の場所にモニタ用テストパタンを配置し、製造工程の後にテストパタン上にX線、又は荷電粒子線を走査し、その時に生じるX線,二次イオン,二次電子,反射電子、または吸収電子を測定し、これらの強度のラインプロファイルや面内分布、またはこれらのエネルギ分布を求める。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上にレジスト材料を付着させ、マスクを介して光やX線等の電磁波を照射し、あるいは電子線描画法により、製造工程のモニタ用テストパタンを半導体素子自体とは異なる場所に転写し、このテストパタン上にX線、又は荷電粒子線を走査し、その時に生じるX線,二次イオン,二次電子,反射電子、または吸収電子を測定し、これらの強度のラインプロファイルまたは面内分布より前記テストパタン表面の構造を推定することを特徴とした半導体素子製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 23/22 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/305

FI (7件)：

H01L 21/66 Z ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 Q ,  G01N 23/22 ,  H01J 37/28 Z ,  H01J 37/305 A