シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-118576
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308101
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハにおいて、表面側と裏面側とで異なる機能を同時に付加すること、特に表面に無欠陥層を形成すると共に、高いゲッタリング能力を同時に付加すること。【解決手段】シリコンウェーハWを雰囲気ガス中で熱処理するシリコンウェーハの熱処理方法であって、前記シリコンウェーハの表面S側と裏面R側とに互いに異なる種類又は条件の前記雰囲気ガスを供給する。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理するシリコンウェーハの熱処理方法であって、前記シリコンウェーハの表面側と裏面側とに互いに異なる種類又は条件の前記雰囲気ガスを供給することを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/322 , C30B 29/06 , H01L 21/205 , H01L 21/324

FI (5件)：

H01L 21/322 Y , C30B 29/06 C , H01L 21/205 , H01L 21/324 X , H01L 21/324 R

Fターム (14件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BB03 , 4G077CF10 , 4G077FE02 , 5F045AC11 , 5F045BB14 , 5F045DP04 , 5F045DQ11 , 5F045EE02 , 5F045EE14 , 5F045EK11 , 5F045EM02 , 5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (6件)

特表平6-504878
特開昭63-311729
特表平6-504878

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