特許

J-GLOBAL ID：200903073036939276

半導体発光素子

発明者： 菱田 有二
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115760
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316527
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 素子構造の自由度が高く、外部への光の取り出し効率が高く、かつへき開により作製可能な半導体発光素子を提供することである。【構成】 立方晶のn-ZnS基板1上に、n-GaNクラッド層2、InGaN活性層3およびp-GaNクラッド層4をエピタキシャル成長させ、p-GaNクラッド層4上にp側電極5を形成し、n-ZnS基板1の下面にn側電極6を形成する。

請求項（抜粋）：

II-VI族の化合物半導体からなる導電性の基板上に、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含むIII 族の窒化物半導体からなりかつ発光層を含むエピタキシャル成長層が形成され、前記基板が前記発光層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18