特許
J-GLOBAL ID：200903073043229616
半導体加速度センサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-321456
公開番号（公開出願番号）：特開平6-324077
出願日： 1992年11月06日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 比較的簡単な構成でもって可動電極(重り部)を密封された封止空間内に配置可能な半導体加速度センサおよびその製造方法を提供すること【構成】 ガラス板10の上面全面にアルミ蒸着を施し固定電極11を形成する。その固定電極11の上面をスパッタにより肉薄のガラス層12を設ける。なお、このガラス層はその1辺側が細長帯状に切除され、係る切除部位で固定電極11が露出し、取り出しリード線14を接続する。ガラス層の上面にシリコン板15を配置し、略ロ字状の枠体16の下面とガラス層と画面接触し、そこにおいて気密性が保持される。また、シリコン板15の上方にはガラス板20が配置され、枠体の上面との間で面接触され接合される。シリコン板の重り部18,可動電極19は、センサの製造により自動的に形成される封止空間内に位置される。
請求項（抜粋）：
基板上に金属性の固定電極を設け、その固定電極並びに必要に応じて前記基板の露出部位を覆うようにして接合用ガラス層を設け、その接合用ガラス層に対して前記固定電極に対向する可動電極を有する半導体基板を接合するようにし、かつ、その接合部位は無端状としてなることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
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