特許

J-GLOBAL ID：200903073043768991

半導体装置の製造方法

発明者： 山口 偉久 ,  清水 雅裕
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109213
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283426
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 BF2 + を用いてP+ 層を形成する場合、または該P+ 層上にシリサイド層を形成する場合の、P+ 層表面の微小孔の発生やP+ 層とシリサイド層間の空洞の発生を防止する。【構成】 フッ素を含まないボロン化合物を半導体基板に導入し、P+ 層の形成を行った。接合10形成をイオン注入法で行う場合は、BF2 + 以外のボロン化合物であるBCl3 ,BBr3 等を用いる。また、プラズマドーピング法,ガスフェーズドーピング法を用いてP+ 層を形成した。さらにこのように形成したP+ 層上をシリサイド化9した。【効果】 P+ 層形成にフッ素を含まないボロン化合物の導入を用いたので、微小孔のない良好なP+ 層、また、空洞のない良好なシリサイド化されたP+ 層が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にP+ 層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記P+ 層を形成するためのP型不純物の導入は、フッ素を含まないボロン化合物を導入することによって行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784