特許
J-GLOBAL ID：200903073047166597
半導体ウエハ製造方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-064528
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251255
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 ウエハ搬送中に水分除去及び予備加熱を行い、高品質な半導体ウエハを製造する。【解決手段】 半導体単結晶から切り出された半導体ウエハ基板をエピタキシャル成長前の最終洗浄する洗浄手段と、エピタキシャル成長前の最終洗浄された半導体ウエハ基板を一時的に保管するウエハ保管手段と、前記ウエハ保管手段に保管されている半導体ウエハ基板に予め定められた成長温度に加熱した状態でエピタキシャル成長処理を行うエピタキシャル成長炉と、前記最終洗浄された半導体ウエハ基板を前記洗浄手段から前記ウエハ保管手段へ搬送した後、前記ウエハ保管手段に保管されている半導体ウエハ基板を前記エピタキシャル成長炉へ搬送する搬送手段と、前記搬送中の半導体ウエハ基板を所定温度に加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶から切り出された半導体ウエハ基板を最終洗浄した後、最終洗浄後の半導体ウエハ基板を一旦ウエハ保管室に保管し、その後保管された半導体ウエハ基板を炉内へ搬入して予め定められた成長温度で加熱した状態でエピタキシャル成長させる半導体ウエハ製造方法において、最終洗浄された半導体ウエハ基板の洗浄室からウエハ保管室への搬送工程中及びウエハ保管室からエピタキシャル成長炉への搬送工程中で、半導体ウエハ基板を所定温度に加熱しながら搬送することを特徴とする半導体ウエハ製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/22 511
, H01L 21/304 651
, H01L 21/68
H01L 21/205
, H01L 21/22 511 J
, H01L 21/304 651 M
, H01L 21/68 A
