化合物半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132179
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326568
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】化合物半導体上の保護ダイオードの占める面積を低減し、静電保護回路を有する化合物半導体のコストを低減すること。【構成】保護ダイオードの一方の電極のオーミック金属を配線金属からなる電極パッドに接続し、他方を前記電極パッドから絶縁したまま取り出す事によって保護ダイオードの一部あるいは全部を、電極パッドの下部に形成する。【効果】保護ダイオードの大部分がパッドと同じ場所に配置されるため、保護ダイオードよるチップ上の面積のロスが小さくなり、化合物半導体ICのコストを大きく低減することができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に形成された集積回路において、前記集積回路は集積回路と外部をつなぐボンディング電極パットと、PN接合からなる保護ダイオードを有し、前記保護ダイオードの一部あるいは全部が、前記電極パッドの下部に形成されていることを特徴とする化合物半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 29/80 P , H01L 29/80 B

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