特許

J-GLOBAL ID：200903073056242190

洗浄方法とエッチング方法

発明者： 金山 登紀子 ,  河野 広明
出願人/特許権者： 住友精密工業株式会社
代理人 (1件)： 池条 重信
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000008974
公開番号（公開出願番号）：WO2002-050883
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2002年06月27日
要約：

この発明は、半導体ウェーハ、半導体デバイスの製造で使用される各種装置やキャリアなどにおいて、除去が困難な油脂分や微細なシリコン片を洗浄除去できる洗浄方法、エッチング方法の提供を目的とし、真空雰囲気で被洗浄物に昇華させて得たXeF2ガスを接触作用させることで、前記油脂等を分解気化させることができ、シリコン片などもエッチング除去でき、また、洗浄に先駆けて、前記真空雰囲気でごく微量の残留水分を残すとH2OとXeF2が反応してHFが発生し、例えばシリコン片などの表面に生成している自然酸化膜SiO2を除去でき、その後XeF2がシリコンに直接作用してエッチング可能なため、洗浄、エッチング反応が極めて速くなる。

請求項（抜粋）：

微量の水分を含む真空雰囲気で被洗浄物にXeF2ガスを接触作用させる洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

H01L21/304 645Z ,  H01L21/304 648E ,  H01L21/302 102