特許
J-GLOBAL ID：200903073057419809
発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147579
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008344
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】基板上にヘテロ接合を形成するエピタキシャル層を4層構造とすることにより、高出力の発光特性を維持しながら耐湿性の改善を図り、しかも4層を2つの成長溶液のみで製造することによって、低コスト化を図る。【構成】p型GaAs基板1上にp型Alx2Ga1-x2Asクラッド層3、p型Alx3Ga1-x3As活性層4、n型Alx4Ga1-x4Asウィンドウ層5を順次設けた発光ダイオードにおいて、基板1とクラッド層3との間にp型Alx1Ga1-x1As介在層2を設ける。各層のAlAs混晶比の大小関係は、x2 ≧x4 >x1≧x3 (0≦x1-4 ≦1)とする。クラッド層3の厚さは0.05〜10μmとすることが好ましい。製造法は、p型ドーパントを添加した第1成長溶液、アンドープの第2成長溶液を用いて、基板1上に第1層を第1成長溶液、第2層を第2成長溶液、第3層を第1成長溶液、そして第4層をn型ドーパントを追加して作製した第2成長溶液によりそれぞれエピタキシャル成長する。
請求項（抜粋）：
p型GaAs基板上にp型Alx2Ga1-x2Asクラッド層、p型Alx3Ga1-x3As活性層、n型Alx4Ga1-x4Asウィンドウ層を順次設けたヘテロ構造の発光ダイオードにおいて、上記p型GaAs基板と上記p型Alx2Ga1-x2Asクラッド層との間にp型Alx1Ga1-x1As介在層を設け、各層のAlAs混晶比の大小関係をx2 ≧x4 >x1 ≧x3 (0≦x1-4 ≦1)としたことを特徴とする発光ダイオード。
引用特許：
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