特許

J-GLOBAL ID：200903073059113600

磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド

発明者： 梅原 敏男 ,  宮路 永 ,  鈴木 通之
出願人/特許権者： 富士電気化学株式会社
代理人 (1件)： 岡田 守弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-192953
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039617
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、下部磁極層と上部磁極層とのギャップ間にMR素子を形成した磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドに関し、磁気ヘッドの下部磁極層上に絶縁層を形成して磁場中アニールなどの熱処理による表面酸化が生じないようにして磁気特性の劣化を無くし、磁気特性の安定した磁気ヘッドの製造を実現することを目的とする。【解決手段】 基板上に軟磁性材料で形成したセンダストと、このセンダストの上に非磁性材料で形成した、センダストの磁場中アニール時の熱処理による酸化を防止する絶縁膜と、この絶縁膜の上に非磁性材料で形成した絶縁層と、この絶縁層の上に形成したMR素子と、このMR素子の上に軟磁性材料で形成した上部磁極層とから構成する。

請求項（抜粋）：

下部シールド層と上部シールド層とのギャップ間にMR素子を形成した磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドにおいて、基板上に軟磁性材料で形成した下部シールド層であるセンダストと、このセンダストの上に非磁性材料で形成した、当該センダストの磁場中アニール時の熱処理による酸化を防止する絶縁膜と、この絶縁膜の上に非磁性材料で形成した絶縁層と、この絶縁層の上に形成したMR素子と、このMR素子の上に軟磁性材料で形成した上部シールド層とからなることを特徴とする磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/127 ,  H01F 10/14

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/127 K ,  H01F 10/14