特許
J-GLOBAL ID：200903073063104135
ナノプローブおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鷲田 公一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006325969
公開番号（公開出願番号）：WO2007-077842
出願日： 2006年12月26日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
本発明はナノプローブ、特に測定対象である試料との間に働く交換相互作用力および磁気双極子相互作用力などを高精度に検出することができるナノプローブに関する。本発明は、探針、および前記探針の先端に配置された磁性体からなるピラーを有するナノプローブの製造方法であって、超高真空中において、磁性体材料の表面に、前記磁性体材料とは異なる材料からなる探針の先端を接触させるステップ;および前記磁性体材料の表面から前記探針の先端を引き離すステップを含む製造方法を提供する。前記ピラーは直径が500nm以下の円柱状であり、かつその半径Rと長さLの関係が、L/2R>1、かつL3/R4≦1.14×1010m-1であることが好ましい。
請求項（抜粋）：
探針、および前記探針の先端に配置された磁性体からなるピラーを有するナノプローブの製造方法であって、
前記ピラーは直径が500nm以下の円柱状であり、前記ピラーの半径をR、長さをLとするとき、L/2R>1、かつL3/R4≦1.14×1010m-1であり、
超高真空中において、磁性体材料の表面に、前記磁性体材料とは異なる材料からなる探針の先端を接触させるステップ、および前記磁性体材料の表面から前記探針の先端を引き離すステップを含む、製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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