特許
J-GLOBAL ID：200903073063275177
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080758
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283447
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体ウエハのダイシング後にチップのダイス付けを行う工程の半導体装置の製造方法に関し、シリコン片のチップへの悪影響を回避することを目的とする。【構成】 半導体ウエハ11のダイシング後、表面上に保護部材15を取着してUVテープ13を剥離し、ブレード16により保護部材15を切断して保護部材15を取着させたままチップ14を分離する。そして、チップ14を搬送してダイス付けした後、保護部材15の所定部分を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ(11)の所定の処理後、該半導体ウエハ(11)の裏面をフレーム(12)の粘着テープ(13)上に固着してチップ(14)状にダイシングを行い、該チップ(14)を搬送してダイス付けを行う半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハ(11)の前記ダイシング後に、前記粘着テープ(13)の接着力を弱めさせ、該半導体ウエハ(11)の表面に保護部材(15)を取着する工程と、該半導体ウエハ(11)より該粘着テープ(13)を剥離させる工程と、前記チップ(14)を内包可能な筒状のブレード(16)により該保護部材(15)を切断して該保護部材(15)と共に該チップ(14)を該筒状のブレード(16)内に保持させる工程と、 該チップ(14)を搬送してダイス付けした後、該保護部材(15)の所定部分を除去し、該チップ(14)表面の所定部分を部分的に表出させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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