特許

J-GLOBAL ID：200903073063614494

超高輝度発光ダイオード

発明者： ジュリー・イー・フーケ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 長谷川 次男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165176
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053547
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】広帯域、高速、低内部反射で信頼性のたかい超高輝度発光ダイオードを提供する。【構成】平行層34〜36により垂直閉じ込め導波路を形成し、活性領域32を含む空洞ををPN接合により決定する。直列接続された利得領域50と吸収領域52はそれぞれ端子56、58から順、逆バイアスされる。利得領域では、誘導放射を含む光放射があり、吸収領域は空洞内に再生発振が生じない用に逆バイアスされる。非レーザ発光で出力光に対し反射光成分が少ない。

請求項（抜粋）：

後記(イ)乃至(ロ)を含み(ハ)の特徴を有する非レーザ発光により端面放射をおこなう超高輝度発光ダイオード。(イ)垂直閉じ込め導波路を形成する複数の平行層と、活性層を有し直列接続された長さLgの利得領域と長さLαの光吸収領域を含む長尺光学空洞を決定するためのPN接合とを有する半導体ヘテロ構造体、(ロ)前記利得領域を順バイアスして前記層の端面に沿って前記活性層から誘導放射を含む光放射を行わせるための利得端子と前記光吸収領域を逆バイアスして前記光吸収領域の前記活性層の吸収スペクトルを低エネルギ側へ移行させるための吸収端子とを備えた、前記PN接合をバイアスするための端子手段、(ハ)前記光吸収領域の長さLαは、前記光放射の時に、前記光吸収領域の逆バイアスにより前記長尺光学空洞内での再生発振を抑止できる値である。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18