特許

J-GLOBAL ID：200903073075851750

強誘電体メモリ及びその製造方法

発明者： 篠原 壮太
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339073
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164817
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 シリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜形成後の強誘電体容量素子の劣化を抑制し、記憶保持特性が良好でデータ書き換え寿命の信頼性の高い強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本強誘電体メモリは、半導体基板上1に、下部電極3、強誘電体膜4、及び上部電極5を順次積層形成してなる強誘電体容量素子と、前記上部電極と接する配線層6と、該配線層と接して該配線層上に形成された層間絶縁膜10と、該層間絶縁膜より上側に形成されたシリコン窒化膜(SiNX )、又はシリコン酸窒化膜(SiOX NY )12とを有する。イリジウム(Ir)又は酸化イリジウム(IrO2 )を主成分とする保護膜11が、前記層間絶縁膜と、耐湿保護膜として形成された前記シリコン窒化膜(SiNX )、又はシリコン酸窒化膜(SiOX NY )との間に介在する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、下部電極、強誘電体膜、及び上部電極を順次積層形成してなる強誘電体容量素子と、前記上部電極と接する配線層と、該配線層と接して該配線層上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜より上側に形成されたシリコン窒化膜(SiNX )、又はシリコン酸窒化膜(SiOX NY )とを有する強誘電体メモリにおいて、イリジウム(Ir)又は酸化イリジウム(IrO2 )を主成分とする保護膜が、前記層間絶縁膜と、前記シリコン窒化膜(SiNX )、又はシリコン酸窒化膜(SiOX NY )との間に介在することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (28件)：

5F001AA17 ,  5F001AD12 ,  5F001AD94 ,  5F001AD95 ,  5F001AF06 ,  5F001AG01 ,  5F001AG03 ,  5F001AG10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08 ,  5F083PR03 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33