特許

J-GLOBAL ID：200903073076585914

半導体装置の製造方法

発明者： 青木 正身 ,  高東 宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-160629
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013566
出願日： 1991年07月01日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、高集積化が可能で、開口径に依存することなくリーク電流が小さく信頼性の高い素子分離を提供することを目的とする。【構成】本発明では、基板表面からの選択的エピタキシャル成長によってシリコン層を成長させるようにしているため、開口径に依存することなく均一な深さのシリコン層埋め込みを行うことができ、しかも表面酸化によってキャップ層を形成するようにしている。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチ内壁を絶縁膜で被覆する絶縁膜形成工程と異方性エッチングによってトレンチ側壁にのみこの絶縁膜を残してトレンチ底部の基板表面を露呈せしめるエッチング工程と前記表面から選択エピタキシャル成長法によりシリコンを成長させ、トレンチを埋め込む選択成長工程と表面を酸化し、トレンチ上面を酸化膜で被覆する酸化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784