特許

J-GLOBAL ID：200903073077452691

半導体膜の形成方法および半導体装置

発明者： 宮嶋 利明 ,  高木 悛公
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361946
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176796
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に形成した非単結晶半導体薄膜にエネルギーを加えて結晶化する際に、結晶成長し易い方位を有する結晶粒を制御して成長させ、大略結晶方位の揃った大面積の結晶性半導体膜を得る。【解決手段】 基板1に、くびれ部2を有し、かつ、側面と底面が滑らかに連続する断面形状の掘り込み部3を形成して非晶質Si膜4を埋め込み、くびれ部2の片側から反対側までくびれ部2を通って結晶成長させる。くびれ部2で結晶方位を選択すると共に、くびれ部2を出た後、結晶粒を大きく成長させたい領域で生じる不規則な結晶核を、掘り込み部3を底面と側面とが滑らかに連続する断面形状にして抑制する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した非単結晶絶縁膜上、または非単結晶絶縁基板上に半導体膜を形成する方法であって、該非単結晶絶縁膜または該非単結晶絶縁基板に、側面と底面とが滑らかに連続する断面形状であって、かつ、くびれ部を有する掘り込み部を形成する工程と、該非単結晶絶縁膜上または該非単結晶絶縁基板上に非単結晶半導体膜を形成して、該掘り込み部を埋め込む工程と、該非単結晶半導体膜にエネルギーを加えることにより、該くびれ部の一方側から反対側に該くびれ部を通過して結晶成長を進ませる工程とを含む半導体膜の形成方法。

Fターム (8件)：

5F052AA17 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052FA03 ,  5F052FA07 ,  5F052FA16 ,  5F052FA24