特許
J-GLOBAL ID：200903073078345279
高透磁率、低鉄損の極薄アモルファス合金
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053373
公開番号（公開出願番号）：特開平8-229642
出願日： 1987年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月10日
要約：
【要約】【課題】 ピンホール等のない良好な状態で、板厚が10μm 以下の極薄アモルファス合金が求められている。【解決手段】 一般式:[(Co1-x Fex )1-y My ] 100-z Yz (式中、 MはCr、Mo、 W、 Cr+Mo、Cr+W、 Cr+Mo+Wから選ばれる 1種を、 YはSi、 B、 P、 Cから選ばれる 1種以上を示し、 x、 yおよび zは0.02≦ x≦0.1 、 0.005≦ y≦0.1、18≦z ≦30である)で表される合金であり、板厚が10μm 以下である、高透磁率、低鉄損の極薄アモルファス合金である。
請求項（抜粋）：
一般式:[(Co1-x Fex )1-y My ] 100-z Yz(式中、 MはCr、Mo、 W、 Cr+Mo、Cr+W、 Cr+Mo+Wから選ばれる 1種を、 YはSi、 B、 P、 Cから選ばれる 1種以上を示し、 x、 yおよび zは0.02≦ x≦0.1 、0.005≦ y≦0.1 、18≦z ≦30である)で表される合金であり、板厚が10μm 以下であることを特徴とする高透磁率、低鉄損の極薄アモルファス合金。
IPC (2件)：
B22D 11/06 360
, C22C 45/04
B22D 11/06 360 B
, C22C 45/04 E
