特許

J-GLOBAL ID：200903073082294735

有機半導体膜の製造方法および有機デバイス

発明者： 堀田 収 ,  山雄 健史 ,  鴨井 彬 ,  大田 郷史 ,  大平 貴之 ,  栗木 寛文 ,  土井 拡子 ,  栗原 隆 ,  松浦 徹 ,  小勝負 信建 ,  奥 良彰
出願人/特許権者： 国立大学法人京都工芸繊維大学 ,  国立大学法人京都大学 ,  日本電信電話株式会社 ,  パイオニア株式会社 ,  株式会社日立製作所 ,  三菱化学株式会社 ,  ローム株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112273
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287862
出願日： 2006年04月14日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】配向性が高く、配向した領域が大きい有機半導体膜を製造できる有機半導体膜の製造方法を提供する。性能に優れた有機デバイスを提供する。【解決手段】本発明の有機半導体膜の製造方法は、溶融した有機半導体化合物Aを支持板10a,20aに接触させた状態で冷却して固化させる方法であって、下記(1)〜(3)を採用したものである。(1)支持板が、有機半導体化合物Aに接触する側の面に多数の溝が形成されたものである、(2)冷却の際に、支持板表面に略平行な一方向に沿った温度勾配を有機半導体化合物Aに付与する、(3)支持板が、ポリイミド製である。本発明の有機デバイスは、上述した有機半導体膜の製造方法により製造された有機半導体膜を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

溶融した有機半導体化合物を支持板に接触させた状態で冷却して固化させる有機半導体膜の製造方法であって、 支持板の有機半導体化合物に接触する側の面に多数の溝が形成されたものであることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/368 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (6件)：

H01L21/368 L ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J

Fターム (11件)：

5F053AA33 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053LL10 ,  5F053RR20 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG58

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機半導体化合物を用いた固体光電子デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-250009   出願人：松下電器産業株式会社, 谷口彬雄