特許
J-GLOBAL ID：200903073084661034
圧接型半導体素子及びその製造方法並びに圧接型半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133919
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330572
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板へ供給されるゲート電流の電流集中による永久熱破壊を防止するとともに、発熱にともなって発生する機械的ストレスによるゲート電極の局部的摩耗及び絶縁シートの摩耗あるいは亀裂によるリングゲート電極とカソードポスト電極との短絡を防止することができる圧接型半導体素子及びその製造方法を提供し、さらに、この圧接型半導体素子にゲートドライブ装置を含めたシステムとしての圧接型半導体装置を小形化し効率向上を図る。【構成】 本発明の圧接型半導体素子25は、絶縁筒21の側方から突出した環状の金属板からなるリング状ゲート端子27の内周平面を、半導体基板8に形成したゲート電極9aに接する環状のリングゲート電極26と摺接可能に配設し、弾性体28によってリング状ゲート端子27を介してリングゲート電極26をゲート電極9aに押圧する。
請求項（抜粋）：
表面の外周部にゲート電極が形成され、このゲート電極の内側にカソード電極が形成されるとともに、裏面にアノード電極が形成された円板状の半導体基板、上記カソード電極にカソード歪緩衝板を介して圧接可能に配設され、第1のフランジを有するカソードポスト電極、上記アノード電極にアノード歪緩衝板を介して圧接可能に配設され、第2のフランジを有するアノードポスト電極、上記半導体基板、カソード歪緩衝板及びアノード歪緩衝板を内包し、上記第1のフランジ及び上記第2のフランジとその各端部が気密に固着された絶縁筒、上記ゲート電極に接する環状のリングゲート電極、上記絶縁筒の側方から突出するとともに上記絶縁筒に気密に固着された環状板からなり、その内周平面が上記リングゲート電極と摺動可能に配設されたリング状ゲート端子、このリング状ゲート端子を介して上記リングゲート電極を上記ゲート電極に押圧する弾性体、上記リング状ゲート端子及びリングゲート電極と上記カソードポスト電極とを電気的に絶縁する絶縁体を備えたことを特徴とする圧接型半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/744
, H01L 29/74
, H01L 21/332
H01L 29/74 C
, H01L 29/74 J
, H01L 29/74 L
, H01L 29/74 301
