特許

J-GLOBAL ID：200903073087972359

半導体装置のパッド構造及びその製造方法

発明者： 松本 和己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203737
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026062
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】バリア性はもとより低抵抗を伴いパッド強度を向上させる半導体装置のパッド構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】図示しない内部の導電領域と接続されるパッドの配線層構造は、一般に酸化膜上の開口部に形成されている。この実施形態では、SiO2 膜10上にバリアメタルとしてTi層11、TiN層12、その上に実質的なアルミニウム層13が形成されているが、Ti層11とSiO2 膜10の間にチタンシリサイド層(Ti2 Si3 層)14が形成されている。このチタンシリサイド層14は、SiO2 膜10上にシリコン層を積極的に設けたことにより構成されるものである。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜上に設けられたアルミニウムを主成分とした金属配線の端部であって、2層以上で構成されるバリアメタル層と、前記シリコン酸化膜上に積極的に設けられたシリコン層により前記バリアメタル最下層の物質に応じて形成されたシリサイド層と、を具備したことを特徴とする半導体装置のパッド構造。

Fターム (4件)：

5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE11 ,  5F044EE12