特許
J-GLOBAL ID：200903073090394358
低容量性接続電極を有する半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008769
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214579
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 高周波特性に優れた半導体装置において、接続電極の低容量化を確保し、且つ電極の信頼性を高める半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に絶縁膜を介在して接続電極を形成した半導体装置において、半導体基板と絶縁膜との間に半絶縁性半導体層を有し、且つ接続電極直下の半絶縁性半導体層内に空隙を形成して低容量性接続電極とする。上記の空隙は、半絶縁性半導体層上面に開口し、且つ、絶縁膜が該開口部を覆って、接続電極が絶縁膜上に被着形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介在して接続電極を形成した半導体装置において、半導体基板と絶縁膜との間に半絶縁性半導体層を有し、且つ接続電極直下の半絶縁性半導体層内に空隙を形成したことを特徴とする低容量性接続電極を有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 301
, H01L 23/14
H01L 23/12 301 Z
, H01L 23/14 S
