特許
J-GLOBAL ID：200903073093836980
はんだ付け方法、半導体装置の製造方法及び複合はんだ板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-113558
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169908
出願日： 1991年05月18日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】はんだ板の融点より低い温度ではんだ付けすることにより、接合部に応力及びボイドが残留せず、しかも耐熱性が高い接合構造を実現すること。【構成】複合はんだ板11は、厚さが約100μmの中央層たるはんだ板本体11aと、厚さが約1μmの両側層たる低融点はんだ層11bとから構成された3層構造になっている。ここで、はんだ板本体11aの融点は約318°Cであり、低融点はんだ層11bの融点は約298°Cである。この構成の複合はんだ板11は、低融点はんだ層11bの融点からはんだ板本体11aの融点までの範囲の温度、約300°Cのはんだ付け温度で使用される。
請求項（抜粋）：
被接合材及びはんだ材のうちの少なくとも一方の接合面側に、前記はんだ材の融点に比して低い融点の低融点はんだ層を形成しておき、前記低融点はんだ層の融点から前記はんだ材の融点までの範囲内の温度で、前記被接合材及び前記はんだ材の接合面同士を接合することを特徴とするはんだ付け方法。
IPC (5件)：
H01L 25/07
, B23K 1/00 310
, B23K 1/00 330
, B23K 35/14
, B23K101:40
