特許
J-GLOBAL ID：200903073095248597
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151957
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022396
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 リソグラフィ技術の解像限界を超える微細パターンのドライエッチングを行う。【構成】 パターン幅w<SB>1 </SB>のレジスト・マスク6を介してW-ポリサイド膜5を異方的にジャストエッチングした後、等方的な条件でオーバーエッチングを行ってレジスト・マスク6の直下のWSi<SB>x </SB>パターン4aのみを細らせ、パターン幅w<SB>2 </SB>(ただし、w<SB>2 </SB><w<SB>1 </SB>)のWSi<SB>x </SB>パターン4bを形成する。レジスト・マスク6を除去し、今度はWSi<SB>x </SB>パターン4bをマスクとしてその下の多結晶シリコン・パターン3aを異方的にエッチングする。完成したゲート電極5bのパターン幅(=w<SB>2 </SB>)は、レジスト・マスク6のそれ(=w<SB>1 </SB>)よりも小さくなる。【効果】 現行の最小加工寸法0.5〜0.35μmクラスの量産設備を用いて、0.1μmクラス以下の微細加工が可能となる。
請求項（抜粋）：
エッチング特性の異なる少なくとも2層の材料膜が積層されてなる多層膜を、第1のエッチング・マスクを用いて実質的にその層厚分だけ異方的にエッチングする第1のエッチング工程と、前記多層膜を構成する材料膜のうち最上層側から少なくとも1層の材料膜を等方的にエッチングし、そのパターン幅を前記エッチング・マスクのパターン幅よりも小となす第2のエッチング工程と、前記第1のエッチング・マスクを除去する工程と、前記第2のエッチング工程において等方的にエッチングされた材料膜を第2のエッチング・マスクとして下層側の材料膜を異方的にエッチングする第3のエッチング工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
