特許

J-GLOBAL ID：200903073096499682

半導体暗像位置検出素子

発明者： 出澤 正徳 ,  藤田 豊己 ,  矢野 安重
出願人/特許権者： 理化学研究所
代理人 (1件)： 上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330362
公開番号（公開出願番号）：特開2000-155014
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】明るい背景中に存在する暗い標点などの暗点像の暗像位置を、従来の半導体像位置検出素子による輝点位置の検出と同様に、高速かつ簡便に検出することができるようにした半導体暗像位置検出素子を提供する。【解決手段】光が入射された部分で入射された光の強度に応じた光電流を生成する光電層と、光電層において生成された光電流が光の入射位置に対応した部分より流入する抵抗体層と、光の入射位置に対応した抵抗体層へ流入する電流の分布が検出範囲全体にわたりほぼ一様になるように光電流の不足分の電流を補充流入させるための、光電層に対応して配設された第二の抵抗体と、第二の抵抗体の両端に配設された信号電流出力端子とを有する。

請求項（抜粋）：

光が入射された部分で入射された光の強度に応じた光電流を生成する光電層と、前記光電層において生成された前記光電流が前記光の入射位置に対応した部分より流入する抵抗体層と、前記光の入射位置に対応した前記抵抗体層へ流入する電流の分布が検出範囲全体にわたりほぼ一様になるように前記光電流の不足分の電流を補充流入させるための、前記光電層に対応して配設された第二の抵抗体と、前記第二の抵抗体の両端に配設された信号電流出力端子とを有し、前記光電流の不足分を補充するための電流が、前記第二の抵抗体の前記光電流が前記抵抗体層へ流入する位置に対応した部分から供給され、前記光電流の不足分を補充するための電流が、前記第二の抵抗体上の前記光電流の不足分を補充するための電流の供給部分と前記信号電流出力端子との間の抵抗値に応じた割合で分配され、前記光電流の不足分を補充するための電流の供給区間全域にわたり加え合わされた電流として信号電流出力端子から出力されるものである半導体暗像位置検出素子。

Fターム (2件)：

2F065AA02 ,  2F065JJ15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 位置検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-252869   出願人：富士通テン株式会社
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305807   出願人：山武ハネウエル株式会社