特許
J-GLOBAL ID：200903073107564031
スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-159131
公開番号（公開出願番号）：特開平5-086465
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：
【要約】【構成】 本願のターゲット11は、柱状の基体12と、基体12の外周面に形成された中間層13,14と、中間層14の外周面に形成されCr,Ti,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲット層15とからなり、ターゲット層15の中間層14との境界面16から一定距離離間した領域Rの、Cr,Ti,Zrから選択された少なくとも1種の濃度が領域R以外の部分Sより高濃度である。また、製造方法は、基体の外周面に溶射法により中間層を形成し、中間層の外周面に溶射法によりターゲット層を形成する。【効果】 ターゲット層が基体から剥離するのを防止することができ、ターゲット層の機械的強度を向上させるとともに外表面のCr,Ti,Zr等の濃度の低下によりスパッタ時のCr,Ti,Zr等の影響を極力低減することが可能になる。
請求項（抜粋）：
柱状の基体と、当該基体の外周面に形成された中間層と、該中間層の外周面に形成されCr,Ti,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲット層とからなり、該ターゲット層の前記中間層との境界面から一定距離離間した領域の、Cr,Ti,Zrから選択された少なくとも1種の濃度が当該領域以外の部分より高濃度であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
IPC (2件)：
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